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TVS管与ESD保护二极管的区别 TVS瞬态电压抑制  

这里不论TV是如何产生的，比如直接或者间接的雷击，静电放电，大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.  ESD静电放电保护  

这里的ES主要是三种模型所表述.  

其中主要应用是HBM 和 MM，简单说，就是人或者设备对器件放电(静电)，tvs二极管厂家，但是器件不能损坏.  典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.  

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF，电压大概在200-400之间，不过没有串联电阻了.  

典型的人体模型放电，峰值电流小于0.75A，时间150ns  典型的机器模型放电，峰值电流小于8A，时间5ns

TVS二极管应用于直晶体管和流稳压电源保护

　TVS二极管应用于直流稳压电源保护

　　图3是一个直流稳压电压，在其输出端加上TVS二极管，可以保护使用该电源的仪器设备，同时还可以吸收电路中晶体管的集电极到发射极间的峰值电压，从而保护晶体管。建议在每个稳压源的输出端增加一个TVS二极管，tvs二极管生产，这样可以大幅度地提高整机的可靠性。

　　TVS二极管在电路设计应用TOP7 ——电路图天天读（133）图3 TVS二极管应用于直流稳压电源保护　　TVS二极管应用于晶体管电路保护

　　各种瞬变电压会使晶体管的EB结或CE结击穿而损坏，当晶体管集电极有感性（继电器线圈、变压器、电动机）负载时，通常会产生高压反电势，可能损坏晶体管。在实际应用中，建议采用TVS二极管作为保护器件。图4所示为TVS二极管应用于晶体管电路的保护实例。

TVS器件的电特性

1、单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，tvs二极管，为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。2.双向TVS的V-I特性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，tvs二极管生产商，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正) /V（BR）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。

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